ダイオード励起 Nd:YAG レーザー用 9ns Q スイッチ レーザー結晶

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x商品名 | パッシブ Q スイッチ クリスタル Cr:YAG | Crドーパント | 0.5~3% |
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アプリケーション | パッシブQスイッチングダイオード励起またはランプNdまたはYbドープレーザー用のパッシブQスイッチング材料 | 波長 | 800-1200nm |
結晶構造 | 立方 | Mohsの硬度 | 8.5 |
損傷閾値 | >750MW/cm2@1064nm 10ns 10HZ | ||
ハイライト | Q スイッチ レーザー結晶、レーザー結晶 Y3Al5O12、カスタム レーザー結晶 Q スイッチ,Laser Crystals Y3Al5O12,Custom Laser Crystal Q Switch |
パッシブ Q スイッチ クリスタル Cr:YAG 概要: Cr4+:Y3Al5O12 結晶 (Cr4+:YAG)は、0.8 ~ 1.2um の波長でのパッシブ Q スイッチング ダイオード ポンプまたはランプ Nd または Yb ドープ レーザー用の最も有望なパッシブ Q スイッチング材料の 1 つです。Cr4+:YAG の化学的安定性、耐久性、UV 耐性、優れた熱伝導率、高い損傷閾値 (> 500 MW/cm )、および簡単な操作により、Cr4+:YAG は LiF や有機色素などの従来のスイッチング材料の一部に取って代わります。Cr:YAG の予備実験では、パッシブ Q スイッチ レーザーのパルス幅は、ダイオード励起 Nd:YAG レーザーでは 9ns と短く、ダイオード励起 Nd:YVO4 レーザーでは 10kHz と高い繰り返し率になることが示されました。
Cr4+ の一般仕様:YAG:
Cr4+の物理的および光学的性質:YAG:
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