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Qスイッチング用の広い透明度BBO非線形光学結晶200nm

  • Wide Transparency BBO Nonlinear Optical Crystal 200nm For Q Switching
起源の場所 中国、武漢
ブランド名 STAR OPTIC
証明 RoHS, ISO9001
モデル番号 BBO
最小注文数量 1個
価格 negotiable
パッケージの詳細 安心・無塵梱包
受渡し時間 応相談
支払条件 T/T、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 50000個/月

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商品の詳細
商品名 非線形結晶 BBO 特徴 広い透明度と位相整合範囲、大きな非線形係数
アプリケーション ハイパワーアプリケーション 波長範囲 200nm～2500nm
結晶構造 三方、空間群 R3c Mohsの硬度 4.5
ハイライト

広い透明度 BBO 非線形結晶、BBO 非線形結晶 200nm、200nm 非線形光学結晶

,

BBO Nonlinear Crystal 200nm

,

200nm Nonlinear Optical Crystal
メッセージ
製品の説明

非線形結晶 BBO

概要：

BBO (ベータ-BaB2O4)多くのユニークな機能を組み合わせた非線形光学結晶です。これらの機能には、広い透明度と位相整合範囲、大きな非線形係数、高い損傷閾値、および優れた光学的均一性が含まれます。したがって、BBO は、可視および近赤外レーザー光の周波数倍増、近赤外から紫外の波長の超高速パルスによって励起される OPO/OPG/OPA、および可視から近赤外への和周波混合 (SFM) のための優れた非線形結晶です。深紫外線。BBO は、SHG および SFM で 500 nm 未満で使用できる数少ない実用的な結晶の 1 つです。

BBO 結晶は、200nm から 2500nm までの波長範囲での高出力アプリケーション向けの優れた電気光学結晶でもあります。平均出力が 50W を超える CW ダイオード励起 Nd:YAG レーザーの Q スイッチングに使用できます。

 

 

 

の一般仕様BBO結晶:

寸法公差 (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L±0.2mm)
角度公差 Δθ<0.5°、ΔΦ<0.5°
表面品質 20/10 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ >90% 中枢
表面の平坦度 <λ/8@633nm
波面歪み <λ/4@633nm
並列処理 <20秒角
垂直性 <5分角
面取り <0.1mmx45°

 

 

 

BBO結晶の標準製品:

PN。

寸法

（んん）

長さ

（んん）

θ(度)

φ(度)

 コーティング 応用
BBO447/22.8/0/SHG1064-Ⅰ 4X4 7 22.8 0 AR/AR@1064&532nm SHG@1064、タイプⅠ
BBO447/47.6/0/4HG1064-Ⅰ 4X4 7 47.6 0 AR/AR@532&266nm 4HG@1064、タイプⅠ
BBO4410/22.8/0/SHG1064-Ⅰ 4X4 10 22.8 0 AR/AR@1064&532nm SHG@1064、タイプⅠ
BBO4410/47.6/0/4HG1064-Ⅰ 4X4 10 47.6 0 AR/AR@532&266nm 4HG@1064、タイプⅠ
BBO551/29.2/0/SHG800-Ⅰ 5X5 1 29.2 0 AR/AR@800&400nm SHG@800、タイプⅠ
BBO550305/29.2/0/SHG800-Ⅰ 5X5 0.3～0.5 29.2 0 AR/AR@800&400nm SHG@800、タイプⅠ

 

 

 

物理的および光学的特性 の BBO結晶:

結晶構造 三方、空間群 R3c
セル パラメータ a=b=12.532&Aring;、c=12.717&Aring;、Z=6
融点 1095±5℃
転移温度 925±5℃
光学均一性 10-6/cm
モース硬度 4.5
密度 3.85g/cm3
線形吸収係数 <0.1%/cm (1064 nm)
吸湿性 低い
抵抗率 >1011オーム/cm
比誘電率 eT11/e0: 6.7、eT33/e0: 8.1
正接、<0.001
熱膨張係数（25～900℃の範囲） ⊥c、4×10-6/K。||c、36×10-6/K
熱伝導率 ⊥c、1.2 W/m/K。||c、1.6 W/m/K
透明度範囲 189-3500nm
熱光学係数 dno/dT=-9.3x10-6/0C;dne/dT=-16.6x10-6/0C
NLO 係数 d11 =5.8×d36(KDP)
d31=0.05×d11、d22<0.05×d11
電気光学係数 g11=2.7pm/V, g22, g31<0.1 g11
半波電圧 48KV (1064nm)
位相整合可能な SHG 範囲 189-1750nm
ダメージ閾値 @1.064um 5 GW/cm2 (10 ns);10GW/cm2 (1.3ns)
@0.532um 1 GW/cm2 (10 ns);7GW/cm2（250ps）
@0.266um 120MW/cm2 (8ns)
セルマイヤー方程式(λ in um) no2(λ) = 2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2
ne2(λ) = 2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2


 

異なるアプリケーションの標準パラメータ:

Nd:YAG レーザーの高調波発生
1064nm SHG-> 532nm 4x4x7mm タイプ I、シータ = 22.8 度、ファイ = 0 度
1064nm THG-> 355nm 4x4x7mm タイプ I、シータ = 31.3 度、ファイ = 0 度
1064nm THG-> 355nm 4x4x7mm タイプ II、シータ = 38.6 度、ファイ = 30 度
1064nm 4HG→266nm 4x4x7mm タイプI、シータ=47.6度、ファイ=0度
1064nm 5HG→213nm 4x4x7mm タイプI、シータ=51.1度、ファイ=0度
 
Nd:YAG レーザーの高調波によって励起される OPO および OPA
532nm ポンプ -> 680-2600nm 4x4x12mm タイプ I、シータ = 21 度、ファイ = 0 度
355nm ポンプ -> 410-2600nm 6x4x12mm タイプ I、シータ = 30 度、ファイ = 0 度
355nm ポンプ -> 410-2600nm 7x4x15mm タイプII、シータ=37度、ファイ=30度
266nm ポンプ -> 295-2600nm 6x4x12mm タイプ I、シータ = 39 度、ファイ = 0 度
 
色素レーザーの周波数倍増
670-530nm SHG-> 355-260nm 8x4x7mm タイプI、シータ=40度、ファイ=0度
600-440nm SHG-> 300-220nm 8x4x7mm タイプI、シータ=55度、ファイ=0度
444-410nm SHG-> 222-205nm 8x4x7mm タイプ I、シータ = 80 度、ファイ = 0 度
 
Ti:Sapphire レーザーの高調波世代
700-1000nm SHG-> 350-500nm 7x4x7mm タイプ I、シータ = 28 度、ファイ = 0 度
700-1000nm THG->240-330nm 8x4x7mm タイプ I、シータ = 42 度、ファイ = 0 度
700-1000nm FHG-> 210-240nm 8x4x7mm タイプ I、シータ = 66 度、ファイ = 0 度
 
アレキサンドライト レーザーの周波数の 2 倍と 3 倍
720-800nm SHG-> 360-400nm 4x4x7mm タイプ I、シータ = 31 度、ファイ = 0 度
720-800nm THG-> 240-265nm 4x4x7mm タイプI、シータ=48度、ファイ=0度
 
ブリュースター角カット BBO による Ar+ レーザーのキャビティ内 SHG
514nm SHG-> 257nm 4x4x7mm タイプI、シータ=51度、ファイ=0度
488nm SHG-> 244nm 4x4x7mm タイプI、シータ=55度、ファイ=0度

 

 

 

 

札:

BBO 非線形結晶、Nd Yag レーザー ロッド、負の一軸性結晶

広い透明度 BBO 非線形結晶、BBO 非線形結晶 200nm、200nm 非線形光学結晶

Negative Uniaxial Crystal